| 主要功能 |
量子隧道效應(yīng)磁阻（MR）位置傳感器及軟件解碼技術(shù)
PMSM+FOC+MTPA
感應(yīng)位置傳感器
無位置傳感器WDK-observer算法技術(shù)| 詳細(xì)參數(shù) |
| 項目 |
規(guī)格 |
| 控制器所屬系列 | GE系列 |
| 控制器名稱 | GE02 |
| 額定電壓（V） | 48,60,72,96 |
| 峰值最大相電流（A） | 900 |
| 持續(xù)功率（kW） | 6 |
| 瞬時過載 | 400% |
| 外形尺寸（毫米） | 218*120*57 |
| 強(qiáng)弱電是否隔離 | 非隔離 |
| 電機(jī)傳感器接口 | 磁編、磁阻、霍爾 |
| 輔助12V小DCDC | 無 |
| 工作溫度（℃） | ’-40 ~ +85 |
| 外部通訊接口 | CAN、485、一線通 |
| 電流傳感器 | 量子效應(yīng)隧道磁阻TMR |
| 調(diào)試模塊 | 外置藍(lán)牙調(diào)試器、4G模塊、手機(jī)APP |
| 連接器接口 | 30 pin振特 |
| MOSFET導(dǎo)熱方式 | 鋁基板 |
| 控制器散熱方式 | 風(fēng)冷 |
| MOSFET/IGBT數(shù)量 | 24 |
| MOSFET/IGBT封裝 | TOLL |
| 中央處理器類型 | 32 bit浮點 |
| 防護(hù)等級 | IP67 |
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